特許

J-GLOBAL ID：200903043260306355

半導体レーザ

発明者： 岡安 雅信 ,  福田 光男 ,  天明 二郎 ,  中野 純一 ,  都築 信頼
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180781
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029615
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 高出力で信頼性の高い半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1に段差1aを形成した後、n型GaAsバッファ層2、n型AlxGa1-xAsクラッド層3、ノンドープAlyGa1-yAs活性層4及びp型Alx'Ga1-x'Asクラッド層5を形成して活性層中央部4aと活性層端部4bとの間に積層方向の位置ずれを形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層及び第2導電型クラッド層を含む半導体多層膜が順次形成されてなる半導体レーザにおいて、共振器両端部の活性層と共振器中央部の活性層との間に積層方向の位置ずれがあり、レーザ光が共振器端部の第1導電型クラッド層又は第2導電型クラッド層を通って共振器外部に出射されることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭58-061694
  
• 特開平1-170082
  
• 特開昭61-020384
  
• 特開昭63-034992
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-258797   出願人：株式会社島津製作所