特許
J-GLOBAL ID:200903043262311259
レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-150350
公開番号(公開出願番号):特開2004-354554
出願日: 2003年05月28日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】多層レジストプロセス用、特には2層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料、及びこれを用いてリソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。【化24】【選択図】 なし
請求項(抜粋):
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
IPC (4件):
G03F7/11
, G03F7/26
, G03F7/40
, H01L21/027
FI (4件):
G03F7/11 503
, G03F7/26 511
, G03F7/40 521
, H01L21/30 573
Fターム (24件):
2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025DA34
, 2H025DA40
, 2H025FA03
, 2H025FA17
, 2H025FA41
, 2H096AA25
, 2H096BA09
, 2H096CA05
, 2H096CA06
, 2H096EA04
, 2H096GA08
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 2H096KA06
, 2H096KA19
, 5F046NA01
, 5F046NA17
引用特許: