特許
J-GLOBAL ID：200903043298926438
CVD成膜装置およびCVD成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-036076
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：
【要約】【課題】 被処理体の裏面への成膜を有効に防止しつつその表面に成膜することができるCVD成膜装置およびCVD成膜方法を提供すること。【解決手段】 チャンバー1内に、被処理体としての半導体ウエハWを載置するためのサセプタ2を設け、サセプタ2に載置された半導体ウエハWの表面側へ処理ガス供給系25からシャワーヘッド20を介して処理ガスを供給して成膜を行うとともに、パージガス供給源15からパージガス流路12を介してサセプタ2上の半導体ウエハWの裏面側からその外周方向にパージガスを供給する。この場合に、半導体ウエハWの外周において、パージガスの流れにより処理ガスの被処理体裏面側への侵入を阻止可能な程度にパージガスの流速を設定する。
請求項（抜粋）：
処理ガスを用いて被処理体に成膜を施す処理室と、この処理室内に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、前記載置台上の被処理体の表面側へ処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記載置台上の被処理体の裏面側からその外周方向にパージガスを供給するパージガス供給手段とを具備し、前記被処理体の外周において、パージガスの流れにより処理ガスの被処理体裏面側への侵入を阻止可能な程度にパージガスの流速を設定することを特徴とするCVD成膜装置。
IPC (4件)：
C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/31
C23C 16/44 D
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
, H01L 21/31 B
