特許
J-GLOBAL ID：200903043323402945
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187070
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031841
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【目的】 新規な窒化物半導体素子の構造を提供することにより、LED、LDの出力を向上させる。【構成】 活性層4上部にp型不純物を含む第1の窒化物半導体層5が形成され、その第1の窒化物半導体層5上部に、その第1の窒化物半導体層5のp型不純物濃度より少量のp型不純物を含む第2の窒化物半導体層6を備え、その第2の窒化物半導体層6上部に、第1の窒化物半導体層5のp型不純物濃度よりも多量のp型不純物を含む第3の窒化物半導体層7を有する。
請求項（抜粋）：
活性層上部にp型不純物を含む第1の窒化物半導体層が形成され、その第1の窒化物半導体層上部に、その第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度より少量のp型不純物を含む第2の窒化物半導体層を備え、その第2の窒化物半導体層上部に、第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度よりも多量のp型不純物を含む第3の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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