特許
J-GLOBAL ID：200903063376057477

窒化物半導体発光素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
岩佐 成人

岩佐 成人 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305281
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148678
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなる発光素子の発光出力を高めて半導体レーザを実現することにあり、特に活性層の構造を改良することで高出力な発光素子を実現する。【構成】 Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、Inを含む窒化物半導体よりなる障壁層とが積層された多重量子井戸構造の活性層を備えることにより同一温度で活性層を成長でき、活性層の膜質が向上するのでレーザ発振可能となる。
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、Inを含む窒化物半導体よりなる障壁層とが積層された多重量子井戸構造の活性層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
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