特許
J-GLOBAL ID：200903043329980177
半導体発光素子およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143074
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340506
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 オーミックコンタクト特性が良好で、かつ、ワイヤボンディング性の優れた電極構造のチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】 基板1の表面にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3およびp形層5を含み発光領域を形成する半導体積層部10設けられ、その表面に拡散メタル層7を介してp側電極8が形成されている。また、積層された半導体積層部10の一部が除去されて露出するn形層3にn側電極9が形成されている。このn側電極9が、オーミックコンタクト用電極部91とボンディング用電極部92とからなり、ボンディング用電極部92がオーミックコンタクト用電極部91の表面および側面を被覆するように設けられている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に設けられ、チッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層およびp形層を含み発光領域を形成する半導体積層部と、前記n形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続して設けられるn側電極およびp側電極とからなり、前記n側電極は、オーミックコンタクト用電極部とボンディング用電極部とからなり、該ボンディング用電極部が前記オーミックコンタクト用電極部の表面および側面を被覆するように設けられてなる半導体発光素子。
引用特許：
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