特許
J-GLOBAL ID：200903043330186972

電極アッセンブリ

発明者：
ハオ・ファングリ

ハオ・ファングリ について

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エリングボエ・アルバート・アール.

エリングボエ・アルバート・アール. について

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レンズ・エリック・エイチ.

レンズ・エリック・エイチ. について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-550777
公開番号（公開出願番号）：特表2003-519907
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2003年06月24日
要約：
【要約】【解決手段】 基板を処理するためのプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極を備える。電極は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。
請求項（抜粋）：
基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、 上端と下端とを有すると共に、前記処理のために内部でプラズマが点火および維持される処理チャンバと、 前記処理チャンバの内部に電界を発生させるよう構成されると共に、前記処理チャンバの前記下端に配置された電極と、 前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素とを備え、前記インピーダンスは、前記電界に影響を与えることにより、前記基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されているシステム。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
C23C 16/505 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 101 G
Fターム (22件)：
4K030FA03 ,  4K030HA12 ,  4K030KA18 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA14 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB01 ,  5F045EM02 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09
引用特許：
審査官引用 (2件)

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