特許
J-GLOBAL ID：200903043346455086
半導体装置の製造方法およびリードフレーム
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068153
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270627
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造コストを低減するとともに、半導体装置の少量多品種化に対応する。【解決手段】 複数のリード部2bとタブ2aとを有する単位フレーム部2cがマトリックス状に行列配置され、かつそのタブ2aのチップ搭載面2dの大きさが半導体チップより小さく形成されたマトリックスフレーム2であり、このマトリックスフレーム2が有する単位フレーム部2c周辺の内枠部2g,2tおよび外枠部2fにL形歪緩和孔2sと歪緩和スリット2uと歪緩和スリット2vとが設けられたことにより、樹脂封止による加熱・冷却の際にマトリックスフレーム2において発生する歪を緩和できる。
請求項（抜粋）：
半導体チップを搭載するタブを備えたリードフレームを用いる半導体装置の製造方法であって、複数のリード部と前記タブとを有する単位フレーム部が行列配置され、かつ前記タブのチップ搭載面の大きさが前記半導体チップより小さく形成された前記リードフレームを準備する工程と、前記タブに前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップと前記リード部とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップおよびその周辺部を樹脂封止する工程と、前記リードフレームから前記単位フレーム部を分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 21/301
H01L 23/50 Q
, H01L 23/50 U
, H01L 23/50 Z
, H01L 21/56 T
, H01L 21/78 A
