半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030437
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229250
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】長寿命かつ高精度で信頼性の高い半導体装置を提供する。またさらに、マトリックス駆動型面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】第1の導電型の半導体基板21と、前記半導体基板の表面に形成されたpn接合からなる接合障壁23と、前記接合障壁を介して形成された化合物半導体層を素子領域とする半導体素子とを具備したことを特徴とする。望ましくは、前記接合障壁は、前記第1導電型の半導体基板と、この表面に形成された第2の導電型の半導体層とで構成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されたpn接合からなる接合障壁と、前記接合障壁を介して形成された化合物半導体層を素子領域とする半導体素子とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-102886
特開昭55-124180
特開昭59-036988

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