半導体レーザ装置、その製造方法およびその駆動方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233451
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097505
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】走査時の分解能が高く、製造プロセスが簡単な、半導体レーザビームスキャナー用光源を提供する。【構成】本発明の半導体レーザ装置の特徴は、基板1上に形成された第1導電型の半導体多層反射膜2と、前記多層反射膜上に形成された量子井戸活性層4と、前記量子井戸活性層4上に形成された第2導電型の半導体多層反射膜6と、前記第2導電型の半導体多層反射膜6上に形成された第2導電型のコンタクト層7を備えた面発光型半導体レーザ装置において、前記第2導電型のコンタクト層7から前記第2の半導体多層反射膜6に到達するように所定の間隔で高抵抗領域14が形成され、この高抵抗領域によって前記コンタクト層7が複数の領域に分割せしめられ、この分割されたコンタクト層7の各領域の上にそれぞれ分割電極8が形成され、これら分割電極8に独立して電流が供給されることにある。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1導電型の半導体多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された量子井戸活性層と、前記量子井戸活性層上に形成された第2導電型の半導体多層反射膜と、前記第2導電型の半導体多層反射膜上に形成された第2導電型のコンタクト層を備えた発光領域からなる面発光型半導体レーザ装置において、前記第2導電型のコンタクト層から前記第2の半導体多層反射膜に到達するように所定の間隔で高抵抗領域が形成され、この高抵抗領域によって前記コンタクト層が複数の領域に分割せしめられ、この分割されたコンタクト層の各領域の上に分割電極が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-110502 出願人：株式会社島津製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052448 出願人：株式会社東芝
特開平1-239979

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