特許
J-GLOBAL ID：200903043396067338
半導体基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085031
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259418
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 SOI基板上に複数個のMISトランジスタ等の素子を電気的に絶縁分離して構成する際に、素子の活性層となる単結晶シリコン層の結晶性を良好にして素子の性能を向上させる。【構成】 単結晶シリコン半導体基板1上に第1の単結晶シリコン層9,埋め込み酸化膜4,第2の単結晶シリコン層10から構成されるSOI構造において、第1の単結晶シリコン層9と埋め込み酸化膜4との第1の界面5,またはこの第1の界面および埋め込み酸化膜4と第2の単結晶シリコン層10との第2の界面6とに、0.4×1015cm-2以上1.5×1015cm-2以下の窒素原子を含む窒化物層7,8を形成する。これにより、埋め込み酸化膜上の単結晶シリコン層15の端部Bにバーズビークが形成されることなく、単結晶シリコン層15を島状に形成してその結晶性の良好な半導体基板が得られる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン半導体基板の第1の面から該第1の面に対向する第2の面に向けて、順次第1の単結晶シリコン層,埋め込み酸化膜,第2の単結晶シリコン層の構造を有する半導体基板において、前記第1の単結晶シリコン層と埋め込み酸化膜との第1の界面,またはこの第1の界面および埋め込み酸化膜と第2の単結晶シリコン層との第2の界面とに、0.4×1015cm-2以上1.5×1015cm-2以下の窒素原子を含む層構造を持つことを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/20
, H01L 21/265
