研究者
J-GLOBAL ID：200901004615251996   更新日: 2024年04月17日

泉 勝俊

イズミ カツトシ | Izumi Katsutoshi
ホームページURL (1件)： http://tokachi.riast.osakafu-u.ac.jp/%7Esentan3/home.html
研究分野 (3件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (5件)： 電子-光融合デバイス ,  GaN/SiC-OI ,  SiC-OI ,  LSI ,  SOI
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 1999 - 電子-光融合デバイスの研究
  • SiC-on-Insulator構造基板の実用化
  • 電子-光融合デバイスの研究
  • SOIによるLSI設計法の研究
  • SOI基板高品質化の研究
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MISC (9件)：
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書籍 (1件)：
  • Current Status of SIMOX Technology-High-Quality ITOX-SIMOX Wafers and Their Application to Quarter-Micron CMOS LSIs-
    Proceeding of the 6th Int'l Symp. on ULSI Science and Technology, Electrochemical Society 1997
Works (20件)：
  • 極薄SiC-OI基板を用いた単結晶SiC基板製作に関する基礎研究
    2005 -
  • 高品質SiCエピタキシャル成長技術に関する研究
    2004 -
  • センサー用デジタル・シグナル・プロセッサの研究
    2003 -
  • Si(111)によるSIMOX(111)基板の形成と評価に関する研究
    2002 -
  • デスクトップSIMS装置の性能向上に関する研究
    2000 -
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学歴 (4件)：
  • - 1972 名古屋工業大学 工学研究科 電気工学
  • - 1972 名古屋工業大学
  • - 1970 名古屋工業大学 工学部 電気工学
  • - 1970 名古屋工業大学
学位 (1件)：
  • 工学博士 (東京工業大学)
経歴 (15件)：
  • 1999 - - 大阪府立大学 教授
  • 1999 - - Osaka prefecture University, Professor
  • 1997 - 1998 名古屋工業大学 非常勤講師
  • 1997 - 1998 名古屋工業大学
  • 1996 - 1998 日本電信電話株式会社 プロジェクト・リーダ主席研究員
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受賞 (6件)：
  • 2002 - 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエテイ賞
  • 2001 - IEEE Daniel E. Noble Award "For Pioneering Development of Separation by Implanted Oxygen (SIMOX) Technology"
  • 2001 - IEEE Daniel E. Noble Award
  • 1996 - 国際固体素子・材料コンファレンス賞(SSDM'96 Award)
  • 1994 - 科学技術庁長官賞
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所属学会 (6件)：
電気学会 ,  材料研究学会(MRS) ,  電子情報通信学会 ,  電気化学学会(ECS) ,  国際電気電子工学者協会(IEEE) ,  応用物理学会
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