特許

J-GLOBAL ID：200903043410452037

強誘電体記憶素子及びその駆動方法

発明者： 伊藤 康幸 ,  牛久保 真帆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312174
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163914
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 高集積化が可能で、動作が安定で、かつ耐久性に優れた強誘電体素子を提供することを目的とする。【構成】 一方の導電形のバルク半導体材料からなる基板1と、該基板の表面層に形成された、前記基板とは反対の導電形の不純物領域2と、該不純物領域2上に形成された誘電体膜3と、該誘電体膜3上に形成された下部電極4と、該下部電極4上に形成された強誘電体膜5と、該強誘電体膜5上に形成された上部電極6とからなり、前記不純物領域が一体化された領域である強誘電体記憶素子、及び前記下部電極4と前記上部電極6にそれぞれ駆動電圧を印加する強誘電体記憶素子の駆動方法

請求項（抜粋）：

一方の導電形のバルク半導体材料からなる基板と、該基板の表面層に形成された、前記基板とは反対の導電形の不純物領域と、該不純物領域上に形成された誘電体膜と、該誘電体膜上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された強誘電体膜と、該強誘電体膜上に形成された上部電極とからなり、前記不純物領域が一体化された領域であることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247715   出願人：ローム株式会社