特許
J-GLOBAL ID：200903043422156573
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154011
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345928
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】半導体装置において、耐湿性の向上を図ること。【解決手段】半導体チップの回路形成面上に複数のインナーリードが、前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁性フィルムを介在して接着され、該インナーリードと半導体チップの外部端子とがボンディングワイヤで電気的に接続され、モールド樹脂で封止された半導体装置において、前記絶縁性フィルムを熱溶融型液晶ポリマで形成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップの回路形成面上に複数のインナーリードが、前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁性フィルムを介在して接着され、該インナーリードと半導体チップの外部端子とがボンディングワイヤで電気的に接続され、モールド樹脂で封止された半導体装置において、前記絶縁性フィルムは、ベースフィルムが熱溶融型高分子量液晶ポリマで形成され、さらにそのベースフィルムの表面の両面あるいは片面にベースフィルムより分子量の小さい低分子量液晶ポリマ、または液晶ポリマ以外の接着剤が塗布された構造になっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50
, H01L 21/60 301
H01L 23/50 U
, H01L 21/60 301 B
