特許
J-GLOBAL ID：200903055092734654

ICチップ実装用インターポーザ及びICチップパッケージ

発明者：
福武 素直

福武 素直 について

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大橋 和彦

大橋 和彦 について

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守屋 昭

守屋 昭 について

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浦上 明

浦上 明 について


出願人/特許権者：
ジャパンゴアテックス株式会社

ジャパンゴアテックス株式会社 について


代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-188534
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022351
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 導電体パターンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるインターポーザにICチップを実装したICチップパッケージ及び該ICチップパッケージを樹脂モールドしてプラスチックモールド型としたICチップパッケージにおいて、金属電極部分におけるクラックの発生を防止するとともに、プラスチック型ICチップパッケージにおけるパッケージクラックの発生を防止することをその課題とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶ポリマーフィルムからなるインターポーザを提供する。【解決手段】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配向した均方向性を有する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフィルムは、3〜9ppm/°Cの線膨張係数と280°C以上の融点を有し、かつ該フィルムにおける1つの平面方向の線膨張係数Aと他の平面方向の線膨張係数Bの比A/Bが0.3〜3の範囲にあることを特徴とするICチップ実装用インターポーザ及び前記インターポーザにICチップを実装したICチップパッケージ。
請求項（抜粋）：
表面に導電体パターンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配向した均方向性を有する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフィルムは、3〜15ppm/°Cの線膨張係数と280°C以上の融点を有し、かつ該フィルムにおける1つの平面方向の線膨張係数Aと他の平面方向の線膨張係数Bの比A/Bが0.3〜3の範囲にあることを特徴とするICチップ実装用インターポーザ。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (3件)：
H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 S
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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