特許
J-GLOBAL ID:200903043423983503

カルコパイライト型化合物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-125849
公開番号(公開出願番号):特開平5-326997
出願日: 1992年05月19日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【目的】 微視的に見て組成ばらつきのないI-III-VI2で表されるカルコパイライト型化合物薄(但し、IはIb族元素、IIIはIIIb族元素、VIはVIb族元素を表す)薄膜を作製する方法の提供。【構成】 基板1の電極2上のIb族元素の金属とIIIb族元素からなる酸化物3を、VIb族元素を含む還元性雰囲気中で処理し、カルコパイライト型化合物4を作製する。
請求項(抜粋):
Ib族元素の金属とIIIb族元素の酸化物からなる層を、VIb族元素を含む還元性雰囲気または還元性VIb族化合物を含む雰囲気中で処理することを特徴とするカルコパイライト型化合物の製造方法。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01L 31/10
FI (2件):
H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平4-326525
  • 特開平1-248627
  • CuInSe2 薄膜の形成方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-195588   出願人:株式会社富士電機総合研究所
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