特許
J-GLOBAL ID：200903043432228408
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197673
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】100μmピッチ以下で50ピン以上の電極を有するLSIチップを有機基板に直接搭載する半導体装置において、半導体装置の耐半田リフロー性,温度サイクル信頼性,高温高湿信頼性に優れた実装構造及び製造方法を提供すること。【解決手段】チップの電極Auバンプと、基板の接続端子の最表面のAu膜とをAu/Auの金属接合で直接フリップチップ接合する構造とし、Auバンプの接合部の伸びが2μm以上となる接合構造とした。その接合構造を得る方法として、接合両面をスパッタクリーニングしてから10分以内に超音波接合するプロセスとし、接合条件として、基板側:常温,チップ側:常温〜150°C,接合荷重:1/2S×100MPa〜S×180Mpa(S:バンプ/チップ間の接触面積),荷重モード:接合中に増加,超音波時間:50〜500msを選択して、上記構造を実現できることを発見した。
請求項（抜粋）：
少なくとも一部が有機材料で構成された多層配線基板と、電子回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップと前記多層配線基板との間を埋める有機樹脂とを有する半導体装置において、前記多層配線基板上のチップ接続用端子下の少なくとも一部の構成部材が150°C以下のガラス転移温度を有する有機材料で構成され、チップ接続用端子の最小ピッチが100μmピッチ以下であり、チップ接続用端子の表面金属がNi-P/AuあるいはNi-P/Pd/Auのめっき層から構成され、かつAuやPd/Auの貴金属部の総厚さが0.005 〜0.3μm であり、半導体チップの電極端子にAuバンプが形成され、基板上の前記Au接続端子とチップの前記Auバンプが金属接合で接続されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (5件)：
5F044KK02
, 5F044KK18
, 5F044KK19
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
