特許
J-GLOBAL ID：200903043451578630
化合物半導体薄膜の形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-228775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074065
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【目的】 金属-硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物の熱分解によって硫化物薄膜を形成する方法で、均一かつパターンの形成の可能な大面積硫化物薄膜を形成する。【構成】 金属-硫黄結合を少なくとも一つ以上内部に有する金属メルカプチド等の有機金属化合物を、1-メチル-2-ピロリドン等の溶媒に溶解させて、5センチポアズ以上100センチポアズ以下の粘度を有する溶液とする。これにより、基板上にフレキソ印刷法を利用して塗布でき、均一かつパターンの形成の可能な大面積硫化物薄膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
金属-硫黄結合を少なくとも一つ有する有機金属化合物を、溶媒に溶解させて5センチポアズ以上100センチポアズ以下の粘度を有する溶液とし、この溶液を基板上に印刷法により塗布し、熱分解することを特徴とする化合物半導体薄膜の形成法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C04B 41/81
, H01L 31/04
H01L 21/20
, C04B 41/81 Z
, H01L 31/04 E
