特許
J-GLOBAL ID：200903043456930855

マスク基板の検査方法、露光マスクの製造方法および半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 正光

伊藤 正光 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-366387
公開番号（公開出願番号）：特開2004-046259
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】 ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基板をチャックすることによりマスク基板の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの低下の問題を解決するために有効なマスク基板の検査方法を実現すること。【解決手段】 マスク基板とマスク基板の主面の表面形状を示す第1の情報を取得し(ステップS1)、 前記マスク基板の主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造とから前記マスク基板を前記露光装置にセットした時のシミュレーションによる前記主面の平坦度を示す第2の情報とを取得し(ステップS2)、前記シミュレーションによって取得された前記マスク基板の主面の平坦度が仕様に合うか否かを判断する(ステップS3)。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
マスク基板とマスク基板の主面の表面形状を示す第1の情報を取得する工程と、 前記マスク基板の主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造とから前記マスク基板を前記露光装置にセットした時のシミュレーションによる前記主面の平坦度を示す第2の情報とを取得する工程と、 前記シミュレーションによって取得された前記マスク基板の主面の平坦度が仕様に合うか否かを判断する工程と を有することを特徴とするマスク基板の検査方法。
IPC (4件)：
G03F1/08 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F1/08 S ,  G03F1/14 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P
Fターム (4件)：
2H095BC26 ,  2H095BC28 ,  2H095BD02 ,  2H095BD09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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