半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353882
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129276
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体の外装めっきとして用いられてきたSn-Pbはんだは環境問題からPbフリー化が課題となってきている。一方PbフリーのSnだけのはんだでは使用中にウィスカーが成長し電気的な短絡による信頼性が保持出来ない問題がある。これらを解決しウイスカーの発生を抑制したSnめっき方法を提供する。【解決手段】 Snはんだめっきの最終めっき部分について、少なくとも10Hz以上、特に100Hz以上の交流電流で、しかも最低電流を零から負となるように制御する。

請求項（抜粋）：

【特許項1】電子部品のリードのSnめっきの方法で、Sn半田めっきのめっきを施す際の電流を少なくとも最終めっき部分について、10Hz以上の交流とし、電流の最低部分が、零から負になることを特徴とするウイスカの発生を抑制したSnめっき方法。

IPC (4件)：

C25D 5/18 , C25D 7/12 , C25D 21/12 , H01L 23/50

FI (4件)：

C25D 5/18 , C25D 7/12 , C25D 21/12 K , H01L 23/50 D

Fターム (12件)：

4K024AA07 , 4K024AB01 , 4K024BA09 , 4K024BB10 , 4K024BB13 , 4K024BC02 , 4K024CA07 , 4K024CB05 , 4K024DB01 , 4K024GA16 , 5F067DC12 , 5F067DC16

引用特許：

審査官引用 (4件)

スズまたはスズ合金を金属基板に電気メッキする方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-240387 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
特開平4-254597
特開昭63-297590

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