特許
J-GLOBAL ID:200903043478806171

半導体デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡部 正夫 (外11名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-005911
公開番号(公開出願番号):特開平11-274369
出願日: 1999年01月13日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【課題】 本発明は半導体デバイスに関し、特にマイクロ波帯域周波数において生じる寄生容量の対応策に関する技術を提供する【解決手段】 本発明は、ベース・プレート(3)と、該ベース・プレート上に実装された半導体チップ(5)と、該ベース・プレート上に実装された信号ピン(1)とを含み、該信号ピンと該ベース・プレートとの間に寄生容量があり、さらに、該信号ピンを該チップ(5)に接続する第1の接続ワイヤ(4)を含む半導体デバイスにおいて、該半導体デバイスが、該信号ピン(1)を該ベース・プレート(3)に接続する1つ以上の第2の接続ワイヤ(6)を含むことを特徴とする。ピン(1)をベース・プレート(3)に接続する接続ワイヤ(6)はインダクタンスを有し、これが寄生容量と共に並列共振回路を形成するので、共振周波数で、ほぼ同一の周波数のピン(1)上の信号は、寄生容量によってほとんど減衰されずにチップとの受け渡しが行われる。
請求項(抜粋):
ベース・プレート(3)と、該ベース・プレート上に実装された半導体チップ(5)と、該ベース・プレート上に実装された信号ピン(1)とを含み、該信号ピンと該ベース・プレートとの間に寄生容量があり、さらに、該信号ピンを該チップ(5)に接続する第1の接続ワイヤ(4)を含む半導体デバイスにおいて、該半導体デバイスが、該信号ピン(1)を該ベース・プレート(3)に接続する1つ以上の第2の接続ワイヤ(6)を含むことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件):
H01L 23/12 301 ,  H01L 21/60 301
FI (2件):
H01L 23/12 301 Z ,  H01L 21/60 301 A
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-129640   出願人:株式会社東芝

前のページに戻る