特許

J-GLOBAL ID：200903067450831924

半導体装置

発明者： 楠美 恵
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129640
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321160
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 電気特性のピン間依存性を減少させチップ厚の厚い半導体基板搭載部のキャビティ部へのワイヤボンディングを可能にし、キャビティ部に特定の電位を持たせて、大電流高速動作に適した半導体装置を提供する。【構成】 基板搭載部10のキャビティ部11に半導体基板1を固着し、インナーリードの先端はこれに対向するように配置され、長さの等しいボンディングワイヤで接続される。インナーリードは基板搭載部周辺部のセラミック層30、40の表面に形成され、信号セラミック層40の開口部は基板搭載部より角の多い多角形である。セラミック層40の基板搭載部1の角に近い部分は高く、中央部分に近いほど低くなるように段差を形成することもできる。基板搭載部のセラミック層の開口部またはキャビティ部の形状を角形の基板搭載部より角の多い多角形にしたりセラミック層の所定の領域に段差を形成してボンディングワイヤ長のバラツキを少なくする。

請求項（抜粋）：

集積回路が形成された半導体基板と、主面中央部分に形成されたキャビティ部に前記半導体基板が固着されている基板搭載部と、前記基板搭載部の主面周辺部分にその先端が前記半導体基板に対向するように配置され、信号リードと電源リードとを有する複数のインナーリードと、前記インナーリードの先端部と前記半導体基板に形成された接続電極とを接続するボンディングワイヤとを備え、前記インナーリードの中の信号リードと前記半導体基板の接続電極とを結ぶ前記ボンディングワイヤのワイヤ長はすべて実質的に等しいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 21/60 301

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318282   出願人：日本電気株式会社