特許

J-GLOBAL ID：200903043481997077

液晶装置の製造方法、液晶装置の製造装置

発明者： 田中 孝昭
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-041852
公開番号（公開出願番号）：特開2008-203712
出願日： 2007年02月22日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】製造後、TFT基板側と対向基板側とで水酸基の密度が異なってしまった場合におけるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を確実に防止することができるとともに、液晶に対し所望のプレチルト角が得られる無機配向膜を形成することができる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】TFT基板10及び対向基板20に、画素電極9、対向電極21をそれぞれ形成するステップS1と、TFT基板10及び対向基板20を、還元性雰囲気下で加熱するステップS2と、還元性雰囲気下で加熱しながら、各電極9、21上に、無機配向膜16、26をそれぞれ形成するステップS3と、を具備することを特徴とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板との間に液晶が介在され、前記第1の基板及び前記第2の基板の前記液晶に駆動電圧を印加する各電極上に、無機配向膜がそれぞれ形成された液晶装置の製造方法であって、 前記第1の基板及び前記第2の基板に、前記電極をそれぞれ形成する電極形成工程と、 前記第1の基板及び前記第2の基板を、還元性雰囲気下で加熱する加熱工程と、 前記還元性雰囲気下で加熱しながら、前記第1の基板及び前記第2の基板の各前記電極上に、前記無機配向膜をそれぞれ形成する無機配向膜形成工程と、 を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/133 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/10

FI (4件)：

G02F1/1337 515 ,  C23C14/06 Z ,  C23C14/24 S ,  C23C14/10

Fターム (16件)：

2H090HB03Y ,  2H090HC01 ,  2H090HC18 ,  2H090HC19 ,  2H090HD11 ,  2H090HD14 ,  2H090LA04 ,  2H090MB06 ,  4K029BA31 ,  4K029BA46 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029CA15 ,  4K029DB05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 液晶表示素子と液晶表示素子の配向膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-361615   出願人：日本ビクター株式会社
• 反射型液晶表示素子および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-135898   出願人：ソニー株式会社