特許
J-GLOBAL ID：200903043483727000
炭素ナノチューブの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (8件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168328
公開番号（公開出願番号）：特開2004-182581
出願日： 2003年06月12日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】本発明は、成長の長さが均一で且つ制御され、結ばなく、分散し易い炭素ナノチューブの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は一種の炭素ナノチューブの製造方法を提供し、それは下記のようなステップを含み、(1)基板を提供するステップと、(2)該基板の上に触媒を堆積するステップと、(3)予定の温度下で、触媒と炭素含有ガスとを一定の時間に接触させ、該基板の上に垂直した特定な長度の炭素ナノチューブを成長するステップと、(4)前記炭素ナノチューブを該基板から離れさせるステップ。従来の技術に比べて、本発明は化学気相成長法により、一種の生長の長さが均一で且つ制御され、結ばなく、分散し易い炭素ナノチューブのマトリックスの製造方法を提供する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
(1)基板を提供するステップと、
(2)前記基板の上に触媒を堆積するステップと、
(3)予定の温度の下で、前記触媒と炭素含有ガスとを一定の時間接触させ、前記基板の上に直立した所定の長さの炭素ナノチューブを成長させるステップと、
(4)前記炭素ナノチューブを前記基板から離れさせるステップと、
を含むことを特徴とする炭素ナノチューブの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4G146AA11
, 4G146AC03A
, 4G146BA12
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC37A
, 4G146BC37B
, 4G146BC43
, 4G146CB10
