特許
J-GLOBAL ID:200903043493422355

回路電極およびその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-285031
公開番号(公開出願番号):特開2001-060760
出願日: 1999年10月06日
公開日(公表日): 2001年03月06日
要約:
【要約】【課題】 本発明は集積回路のパッケージなどに設けられる回路電極に関し、半田接合部に十分な接合強度を付与し、かつ、Ni-P膜の表面酸化を確実に防止することを目的とする。【解決手段】 有機基板10に形成されたパターン12と導通する回路電極を設ける。7〜12重量%の濃度でリンを含有し、3〜10μmの膜厚でパターン12の所定部分を覆う無電界高濃度Ni-Pメッキ膜30を設ける。3重量%以下の濃度でリンを含有し、0.5〜10μmの膜厚で無電界高濃度Ni-Pメッキ膜30を覆う無電界低濃度Ni-Pメッキ膜32を設ける。無電界低濃度Ni-Pメッキ膜32の表面を覆う酸化防止膜として、0.05〜0.5μmの膜厚を有する無電界金メッキ膜16を設ける。
請求項(抜粋):
有機基板に形成されたパターンと導通する回路電極であって、7〜12重量%の濃度でリンを含有し、3〜10μmの膜厚で前記パターンの所定部分を覆う無電界高濃度Ni-Pメッキ膜と、3重量%以下の濃度でリンを含有し、0.5〜10μmの膜厚で前記無電界高濃度Ni-Pメッキ膜を覆う無電界低濃度Ni-Pメッキ膜と、前記無電界低濃度Ni-Pメッキ膜の表面を覆う酸化防止膜と、を備えることを特徴とする回路電極。
IPC (2件):
H05K 3/34 501 ,  H05K 1/09
FI (2件):
H05K 3/34 501 F ,  H05K 1/09 C
Fターム (11件):
4E351AA01 ,  4E351BB01 ,  4E351BB33 ,  4E351BB35 ,  4E351CC07 ,  4E351DD06 ,  4E351DD24 ,  4E351GG15 ,  5E319AC01 ,  5E319BB04 ,  5E319GG03
引用特許:
審査官引用 (1件)

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