特許
J-GLOBAL ID：200903043514184328
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278091
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121587
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【構成】 プラスチック回路基板1と金属コア2とからなる半導体キャリアを用いた半導体装置において、金属コア2を低熱膨張金属2aと高熱膨張金属2bとによって構成し、低熱膨張金属2aを半導体チップ3に、また高熱膨張金属2bをプラスチック回路基板1に接着する。【効果】 低熱抵抗、半導体チップとの熱膨張の整合、プラスチック回路基板との熱膨張の整合が図られ、特に大型半導体チップの実装において高い信頼性を発揮する。
請求項（抜粋）：
プラスチック回路基板と金属コアとからなる半導体キャリアを用いた半導体装置において、金属コアを低熱膨張金属と高熱膨張金属とによって構成し、低熱膨張金属と半導体チップ、そして高熱膨張金属とプラスチック回路基板とを接着してなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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