特許
J-GLOBAL ID：200903043517831944
高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104942
公開番号（公開出願番号）：特開平6-299342
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 スパッタリングにより形成されたAl薄膜の膜厚分布の標準偏差の3倍値が5%以下のスパッタリングターゲット。【構成】 高純度Al,Al合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット結晶組織を再結晶組織とし、各部位の平均結晶粒径が500μm以下で、各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±15%以内であるスパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット結晶組織が再結晶組織であり、ターゲットの各部位での平均結晶粒径が500μm以下であり、各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±15%以内であることを特徴とするターゲット。
引用特許：
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