特許

J-GLOBAL ID：200903043538350890

六方晶窒化ホウ素単結晶の育成方法

発明者： 佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194989
公開番号（公開出願番号）：特開2001-072499
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】 従来の1800°Cよりもはるかに低い反応加熱温度にて、より大型サイズのh-NB単結晶の育成を可能とする。【解決手段】 ホウ素と窒素原料とをナトリウムの存在下に密閉状態において加熱してバルク状六方晶窒化ホウ素単結晶を育成する。

請求項（抜粋）：

ホウ素単体と窒素源材料とをナトリウムの存在下に密閉状態において加熱してバルク状六方晶窒化ホウ素単結晶を育成することを特徴とする六方晶窒化ホウ素単結晶の育成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C01B 35/14 ,  C30B 9/12

FI (3件)：

C30B 29/38 A ,  C01B 35/14 ,  C30B 9/12

Fターム (7件)：

4G077AA01 ,  4G077BE12 ,  4G077CC01 ,  4G077EA02 ,  4G077EC07 ,  4G077LA01 ,  4G077LA05