特許
J-GLOBAL ID：200903043560405827

半導体受光素子

発明者：
日下部 敦彦

日下部 敦彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168373
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】高外部量子効率を確保しつつ、高速応答が可能な半導体導波路型受光素子を提供する。【解決手段】導波路構造を備えた半導体導波路型受光素子において、前記導波路構造を、半絶縁性InP基板7上に、n+-InP5、n+-InGaAsPクラッド層3、n--InGaAs光吸収層1、n+-InGaAsPクラッド層2、p+-InP4、n+-InGaAsPクラッド層3、n--InGaAs光吸収層1、n+-InGaAsPクラッド層2を順次積層した、5層のエピタキシャル構造を含む受光領域を有するものとする。
請求項（抜粋）：
受光領域を形成する導波路構造を備えた半導体受光素子において、前記導波路構造が、薄膜化した一導電型のInGaAs光吸収層と、前記光吸収層を上下から挟持した一導電型のInGaAsPクラッド層と、前記光吸収層及び前記クラッド層を上下から挟持した逆導電型のInP層及び一導電型のInP層とからなるエピタキシャル構造を多層に積層した構成を有することを特徴とする半導体受光素子。
Fターム (12件)：
5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA05 ,  5F049QA08 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ12 ,  5F049TA06 ,  5F049TA14
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体導波路型光検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264416   出願人：日本電信電話株式会社
  • 特開平4-241471

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