特許
J-GLOBAL ID：200903043582946945
位相シフトフォトマスク及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239631
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080737
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 位相差を直読しつつ180°に正確に合わせることができ、レジストのウェットエッチング液耐性について検討する必要がなく、高精度で高品質な位相シフトフォトマスクの作製方法。【解決手段】 透明基板1上に基板側からエッチングストッパー層5、位相シフターパターン4、遮光パターン2の順に形成されてなる位相シフトフォトマスクの作製方法において、遮光パターン2の一部の開口部に対応する部分の位相シフター層をドライエッチング(図(j))した後、遮光パターン2の全ての開口部に対応する部分の位相シフター層4をウェットエッチングによりサイドエッチングを行う(図(l))。
請求項（抜粋）：
透明基板上に基板側からエッチングストッパー層、位相シフターパターン、遮光パターンの順に形成されてなる位相シフトフォトマスクにおいて、遮光パターンの全ての開口部に対応する部分の位相シフター部がサイドエッチングされてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
