特許
J-GLOBAL ID:200903043599826510
基板処理方法および基板処理装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
間宮 武雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-090844
公開番号(公開出願番号):特開2001-284313
出願日: 2000年03月29日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 処理槽内へ薬液を供給して処理槽内に薬液を満たした後、処理槽内への薬液の供給を停止させて処理槽内の薬液中に基板を浸漬させた状態に保持して基板を表面処理する場合に、処理槽内へ供給される薬液の温度または濃度が高くなるようなことがあっても、基板が薬液で過剰処理される恐れを無くし、基板の処理結果が常に一定となるように制御できる方法を提供する。【解決手段】 処理槽10内への薬液の供給開始時から薬液供給時間として設定された時間が経過するまで、処理槽内へ供給される薬液の温度または濃度を測定し、測定ごとに測定値の平均値を算出し、その平均値を用いて処理時間を補正し、その補正処理時間が経過した時点で、設定時間が経過していないときでも処理槽内への薬液の供給を停止させて処理を終了する。
請求項(抜粋):
処理槽の内部に基板を収容した状態で、予め設定された設定時間だけ処理槽内へ薬液を供給して処理槽内を薬液で満たし、処理槽内への薬液の供給を停止させた後、処理槽内の薬液中に基板を浸漬させた状態で基板を表面処理する基板処理方法において、処理槽内への薬液の供給を開始してから前記設定時間が経過するまで、処理槽内へ供給される薬液の温度または濃度を測定し、その測定ごとに少なくとも複数の測定値の平均値を算出し、その算出された平均値を用いて、処理槽内への薬液の供給を開始してから処理を終了するまでの予め設定された処理時間を補正し、その補正された処理時間が経過した時点で、前記設定時間が経過していないときでも処理槽内への薬液の供給を停止させて処理を終了することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/306
, C23F 1/08 101
FI (2件):
C23F 1/08 101
, H01L 21/306 U
Fターム (16件):
4K057WA14
, 4K057WA19
, 4K057WB06
, 4K057WE07
, 4K057WE23
, 4K057WE25
, 4K057WG02
, 4K057WG03
, 4K057WJ03
, 4K057WM01
, 4K057WN01
, 5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD24
, 5F043EE29
, 5F043EE40
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-046775
出願人:ソニー株式会社
-
濃度測定方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-187038
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
審査官引用 (2件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-046775
出願人:ソニー株式会社
-
濃度測定方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-187038
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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