特許

J-GLOBAL ID：200903043600084301

金属ベース基板とそれを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法

発明者： 八島 克憲 ,  岡島 芳彦
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-339788
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142346
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】放熱特性に優れ、しかも電気絶縁性に優れるコンパクトな樹脂封止型半導体装置を提供可能な金属ベース基板を提供する。【解決手段】金属板上に絶縁層を設けてなる金属ベース基板であって、絶縁層がエポキシ樹脂、硬化剤および無機フィラーからなり、エポキシ樹脂が(a)エポキシ当量1500以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量が1500未満のエポキシ樹脂とからなり、かつ前記絶縁層がBステージ状態であることを特徴とする金属ベース基板であり、好ましくは、(a)エポキシ当量1500以上のエポキシ樹脂が、エポキシ樹脂の合計量に対して3〜30質量%含有していることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、硬化剤が、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂であることを特徴とする前記の金属ベース基板。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属板上に絶縁層を設けてなる金属ベース基板であって、絶縁層がエポキシ樹脂、硬化剤および無機フィラーからなり、エポキシ樹脂が(a)エポキシ当量1500以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量が1500未満のエポキシ樹脂とからなり、かつ前記絶縁層がBステージ状態であることを特徴とする金属ベース基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/05

FI (2件)：

H01L23/12 J ,  H05K1/05 A

Fターム (7件)：

5E315AA03 ,  5E315BB01 ,  5E315BB15 ,  5E315BB18 ,  5E315CC01 ,  5E315DD25 ,  5E315GG01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-310980   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社