半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310980
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138343
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】モールド工程の削減が図られ、かつ、モールド樹脂の充填性が高められる半導体装置を提供する。【解決手段】パワーチップ用リードフレーム2aが、パワーチップ側リード端子2bとリード段差部2eを介して集積回路チップ用リードフレーム2cと略平行に配置されている。パワーチップ用リードフレーム2aの裏面が、集積回路チップ用リードフレーム2cの裏面よりもモールド樹脂の外面に接近している。

請求項（抜粋）：

電力用チップおよび該電力用チップを制御するための集積回路チップと、前記電力用チップを搭載するための第1フレーム部、前記集積回路チップを搭載するための第2フレーム部および前記第1または第2フレーム部に接続されるリード端子を有するリードフレーム部と、前記リード端子を突出させて、前記電力用チップおよび前記集積回路チップを含む前記リードフレーム部を封止するモールド樹脂と、を備え、前記第1フレーム部は、前記リード端子とリード段差部を介して前記第2フレーム部と略平行に配置され、前記電力用チップが搭載された前記第1フレーム部の面と反対側の面が、前記集積回路チップが搭載された前記第2フレーム部の面と反対側の面よりも前記モールド樹脂の外面に接近している、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/56 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 25/04 C , H01L 21/56 T , H01L 23/28 A

Fターム (10件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109FA02 , 4M109FA04 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061DD12 , 5F061FA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

マルチチップモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-111593 出願人：三菱電機株式会社
半導体パワーモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-296457 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-298067

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