特許
J-GLOBAL ID:200903043611647324

ヒートシンク付き半導体セラミックパッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上野 登 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-282045
公開番号(公開出願番号):特開平7-115147
出願日: 1993年10月15日
公開日(公表日): 1995年05月02日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 ヒートシンク材として極めて広く用いられてきた高価なCu-W材に代えてCu-W材と同等の放熱能力を有しつつ安価なヒートシンク材を備えた半導体セラミックパッケージを提供する。【構成】 半導体素子4が収容される半導体セラミックパッケージ本体1に半導体素子に起因する発熱を空気中に放出するためのヒートシンク5が接合される半導体セラミックパッケージであって、接合されるヒートシンク5には、セラミックパッケージ本体1の熱膨張係数に近似する熱膨張係数を有すると共に、40W/mK以上かつ200W/mK以下の熱伝導率を有するヒートシンク材料が用いられ、また、ヒートシンク材料の熱伝導率の上限及び下限は150W/mK及び80W/mKであってもよく、更に、ヒートシンク材料は、銅、タングステン及びニッケルからなる焼結金属でも良い。
請求項(抜粋):
半導体素子が収容されるセラミック材料製のパッケージ本体に該セラミックパッケージ本体の熱膨張係数に近似する熱膨張係数を有すると共に、40W/mK以上かつ200W/mK以下の熱伝導率を有するヒートシンク材料を接合してなることを特徴とするヒートシンク付き半導体セラミックパッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/08 ,  H01L 23/373
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置用パツケージ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-198168   出願人:富士通株式会社
  • 特開昭62-294147
  • 特開昭62-294147
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