特許

J-GLOBAL ID：200903043620200227

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 井守 義久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110710
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287780
出願日： 2006年04月13日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】本発明は、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群のダメージを低減するとともにレーザ加工によって形成される溝の加工形状を改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】まず、素子領域2aを有する半導体基板2と、半導体基板2上に積層された複数の層間絶縁膜3a〜3dからなる層間絶縁膜群3と、ダイシングラインR1を含み或いはダイシングラインR1より素子領域2a側に位置する被レーザ加工領域R2かつ層間絶縁膜群3の内部に形成された金属ビア11とを有する半導体ウェハ10を形成する。次いで、被レーザ加工領域R2における層間絶縁膜群3及び金属ビア11にレーザ光を照射して、半導体基板2から構成された底面10a1を有する溝10aを形成する。そして、溝10aを形成した後に、ダイシングラインR1に沿って、半導体ウェハ10をダイシングする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜からなる層間絶縁膜群と、ダイシングラインを含み或いは前記ダイシングラインより前記素子領域側に位置する被レーザ加工領域かつ前記層間絶縁膜群の内部に形成された金属ビアとを有する半導体ウェハを形成する工程と、 前記被レーザ加工領域における前記層間絶縁膜群及び前記金属ビアにレーザ光を照射して、前記半導体基板から構成された底面を有する溝を形成する工程と、 前記溝を形成した後に、前記ダイシングラインに沿って、前記半導体ウェハをダイシングする工程と を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 B ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 Q

引用特許：

出願人引用 (1件)

• バリア構造を備えるICチップおよび装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-396313   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション