特許

J-GLOBAL ID：200903016378460734

バリア構造を備えるICチップおよび装置

発明者： ウィリアム・エフ・ランダース ,  トーマス・エム・ショウ ,  ダイアナ・ルレラ-ハールバート ,  スコット・ダブリュ・クロウダー ,  ヴィンセント・ジェイ・マクゲイヘイ ,  サンドラ・ジー・マルホットラ ,  チャールズ・アール・デイヴィス ,  ロナルド・ディー・ゴールドブラット ,  ブレット・エイチ・エンジェル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396313
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214626
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】ICチップのための改良されたクラックストップおよび汚染物質バリアを与える。【解決手段】オンチップ重複クラック終了バリア構造を構成する。バリア構造設計内の導電材料は、バリアをコンタクト・パッドおよびデバイス・ピンへ配線され、モニタ・デバイスをチップへ接続し、数層の深さに形成される。ポリイミドのような材料の上部表面付着物が剥離を阻止する。他のバリアは、その構造特性が典型的なクラックストップ構造と比べて吸湿および酸化に対してより完全にシールドする構造を含んでもよい。さらに他のバリアは、クラックストップ保護を与えるよう構成され、モニタ・デバイスへの電気的接続を可能にして、バリアの完全性の状態をユーザへ示すバリア構造のキャパシタンスおよび/または抵抗をテストするよう構成される。クラックあるいは吸湿/酸化によって破壊されたバリアは、キャパシタンスおよび/または抵抗の偏差を示すことになる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

端部とアクティブ回路領域とを有するICチップと、 それぞれが前記ICチップの端部とアクティブ回路領域との間に形成され、導電材料を含む一対のバリアと、 前記一対のバリア領域へ接続され、前記バリア領域の完全性状態を示す前記バリア領域の電気的特性をモニタするモニタ・デバイスと、を備える装置。

IPC (3件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L21/88 S ,  H01L27/04 T

Fターム (28件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033VV00 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033VV11 ,  5F033VV12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F033XX37 ,  5F038BH09 ,  5F038BH11 ,  5F038CA10 ,  5F038CD07 ,  5F038CD18 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-350284   出願人：シャープ株式会社
• エネルギー解放クラック・ストッパおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227676   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-032821   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-284175   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-225044   出願人：株式会社デンソー
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-192723   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-316605   出願人：富士通株式会社