特許
J-GLOBAL ID：200903043620300752
光起電力素子、その製造方法、およびその製造装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204203
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036113
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 高速堆積が可能なVHF周波数のプラズマCVD法をi型層に適用する場合の不具合を解消して、大面積で高効率低劣化のタンデム構造の光起電力素子、その製造方法、およびその製造装置を提供する。【解決手段】 複数の成膜室103,104,105,106,107,108に基板101を通過させ、基板101上にシリコン系非単結晶半導体からなるタンデム構造の光起電力素子を製造する光起電力素子の製造方法であって、i型層のうち複数のi型層をVHF周波数の高周波電力を用いたプラズマCVD法によって堆積し、かつこれら複数のi型層の成膜室104,107内に、基板101に対して正の向きの直流電圧119を印加するとともに、該直流電圧119が、積層順が後の層の成膜室ほど低い電圧に設定する。
請求項（抜粋）：
複数の成膜室に基板を通過させ、基板上にシリコン系非単結晶半導体からなるタンデム構造の光起電力素子を製造する光起電力素子の製造方法において、タンデム構造の光起電力素子のi型層のうち、複数のi型層をVHF周波数の高周波電力を用いたプラズマCVD法によって堆積し、かつVHF周波数の高周波電力を用いたプラズマCVD法によって堆積する複数のi型層の成膜室内に、基板に対して正の向きの直流電圧を印加するとともに、該直流電圧を、積層順が後の層の成膜室ほど低い電圧に設定することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 V
, H01L 31/04 W
5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051CA03
, 5F051CA16
, 5F051CA22
, 5F051DA15
