特許
J-GLOBAL ID：200903079591824024
非単結晶半導体薄膜の形成装置、非単結晶半導体薄膜の形成方法、及び光起電力素子の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362641
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233367
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】本発明は、基板上に大面積にわたって高い光電変換効率を有し、高品質で優れた均一性を有し、より再現性高く欠陥の少ない非単結晶半導体薄膜の形成方法及び装置を提供すること、特に、光起電力素子を大量に作成するための非単結晶半導体薄膜の形成装置及び方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、堆積室壁により形成された成膜空間を有する堆積室と前記堆積室壁を囲んで減圧状態を作成する外チャンバーから成り、帯状基板を成膜空間の側壁の1つとなるようにして、長手方向に連続的に移動させながら、前記成膜空間内にガス供給手段を介して成膜用ガスを導入すると同時にマイクロ波エネルギーをマイクロ波アプリケーター手段により前記成膜空間内に放射させてマイクロ波プラズマを生起させ、前記移動する帯状基板の表面上に連続的に非単結晶半導体薄膜を形成する装置または方法において、前記堆積室壁の一部の壁面外部を覆うように冷却機構及び昇温機構を設けたことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
膜堆積室壁と帯状基板に囲まれた成膜空間を有する膜堆積室と、該堆積室壁を囲む外チャンバーとからなり、前記帯状基板を該帯状基板の長手方向に移動させながら、前記成膜空間にガス供給手段を介して成膜ガスを導入するとともに、マイクロ波アプリケーター手段により前記成膜空間にマイクロ波エネルギーを放射してマイクロ波プラズマを生起し、前記帯状基板の表面に非単結晶半導体薄膜を形成する装置において、前記堆積室壁の外側面の一部を覆うように冷却機構及び昇温機構を設けたことを特徴とする非単結晶半導体薄膜の形成装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/20
, H01L 31/04
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/20
, H01L 31/04 T
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
