特許
J-GLOBAL ID：200903043622902121
シリコン触覚センサ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327084
公開番号（公開出願番号）：特開2004-163166
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】小型で、より高分解能を有する触覚センサ装置を提供する。【解決手段】シリコン触覚センサ装置において、薄型シリコンダイヤフラム2と、この薄型シリコンダイヤフラム2の下部に配置される半導体歪検出素子アレイ3と、この半導体歪検出素子アレイ3の周辺に集積化される信号処理回路4と、前記薄型シリコンダイヤフラム2の下部に配置され前記半導体歪検出素子アレイ3に面する可動ギャップ7と、この可動ギャップ7が画成される支持基板1とを備え、前記薄型シリコンダイヤフラム2は接触した測定対象物8の形状に合わせて変形し、この薄型シリコンダイヤフラム2の形状の変形を前記信号処理回路4の信号処理によって電気的に検知する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
(a)薄型シリコンダイヤフラムと、
(b)該薄型シリコンダイヤフラムの下部に配置される半導体歪検出素子アレイと、
(c)該半導体歪検出素子アレイの周辺に集積化される信号処理回路と、
(d)前記薄型シリコンダイヤフラムの下部に配置される前記半導体歪検出素子アレイが面する可動ギャップと、
(e)該可動ギャップが画成される支持基板とを備え、
(f)前記薄型シリコンダイヤフラムは接触した測定対象物の形状に合わせて変形し、該薄型シリコンダイヤフラムの形状の変形を前記信号処理回路の信号処理によって電気的に検知することを特徴とするシリコン触覚センサ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2F051AA00
, 2F051AB10
, 2F051AC01
, 2F051BA07
, 2F051BA08
