特許
J-GLOBAL ID：200903020623542277
窒化物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311272
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177175
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】窒化物半導体よりなるLD素子のしきい値電流、電圧を低下させることにより長時間の連続発振を実現する。【解決手段】活性層が、n導電側の窒化物半導体層とp導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、前記n導電側及び/又はp導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いに不純物濃度が異なる第1と第2の窒化物半導体層とが積層されてなるn側歪み超格子層を有する。
請求項（抜粋）：
活性層が、n導電側の窒化物半導体層とp導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、前記n導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いにn型不純物濃度が異なる第1と第2の窒化物半導体層とが積層されてなるn側歪み超格子層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
引用特許：
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