化合物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211555
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297097
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】本発明は、1回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを提供することを課題とする。【解決手段】サファイア基板11と、基板11の一面上に形成される第1の伝導型の半導体薄膜層13と、第1の伝導型の半導体薄膜層13上に形成される活性層14,15,16と、この活性層14,15,16上に形成される第2の伝導型の半導体薄膜層17と、第2の伝導型の半導体薄膜層17上に設けられる一方の電極17と、基板11の他面に設けられる他方の電極33aと、基板11を貫通し他方の電極33aが接続される第1の伝導型の半導体薄膜層13に達する深さのレーザ加工により形成された縦穴20aと、第1の半導体薄膜層13と他方の電極33aとを電気的に接続する縦穴20aに形成される導電性材料31aからなる電気的パスと、を備え、縦穴20aは、その深さ方向に向かって先細りの断面形状に形成されている。【選択図】図20

請求項（抜粋）：

サファイア基板からなる絶縁性基板と、この絶縁性基板の一面上に形成される第1の伝導型の半導体薄膜層と、この第1の伝導型の半導体薄膜層上に形成される活性層と、この活性層上に形成される第2の伝導型の半導体薄膜層と、この第2の伝導型の半導体薄膜層上に設けられる一方の電極と、前記絶縁性基板の他面に設けられる他方の電極と、前記絶縁性基板を貫通し他方の電極が接続される第1の伝導型の半導体薄膜層に達する深さのレーザ加工により形成された縦穴と、前記第1の半導体薄膜層と前記他方の電極とを電気的に接続する前記縦穴に形成される導電性材料からなる電気的パスと、を備え、前記縦穴は、その深さ方向に向かって先細りの断面形状であることを化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01S5/042

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01S5/042 612

Fターム (11件)：

5F041AA35 , 5F041AA42 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AK21 , 5F173AP33 , 5F173AQ10

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-326329 出願人：ローム株式会社

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