半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326329
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173235
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】半導体層とコンタクトを取るためにサファイア基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、かつ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提供する。【解決手段】絶縁基板1と、該絶縁基板上に発光層を形成すべく積層される半導体層2〜5と、該半導体層の上面に形成される上部電極8と、前記絶縁基板の裏面側に設けられ、該基板のコンタクト孔1cを介して前記積層される半導体層の下層部に接続される下部電極9とからなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔1cが設けられている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板上に発光層を形成すべく積層される半導体層と、該半導体層の上面に形成される上部電極と、前記絶縁基板の裏面側に設けられ、該基板のコンタクト孔を介して前記積層される半導体層の下層部に接続される下部電極とからなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔が設けられてなる半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平1-280368
半導体発光素子およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-057687 出願人：ローム株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190069 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩

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審査官引用 (1件)

特開平1-280368

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