半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069529
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269504
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】半導体チャネル領域がパターン化された薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】ガラス基板101上にゲート電極102,ゲート絶縁膜103,ソース電極104,ドレイン電極105を形成する。その上にパターン化絶縁膜を形成し、ゲート電極上の領域110を除去する。その上に、有機半導体膜を蒸着する。パターン化絶縁膜の除去した領域110内に形成された有機半導体膜107はチャネル領域となり、パターン化絶縁膜106上の有機半導体膜108と分離され、有機半導体チャネル領域がゲート電極と同等のサイズにパターン化されたことになる。【効果】本発明を用いれば、半導体チャネル領域がパターン化された薄膜トランジスタが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板,ゲート電極,ゲート絶縁層,ソース電極,ドレイン電極、及び半導体層からなる半導体装置において、チャネル領域以外において前記ゲート絶縁層と前記半導体層の間にパターン化絶縁層を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365 , H01L 51/00 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 B , G02F 1/136 500 , H01L 29/28 , H01L 29/78 627 C

Fターム (59件)：

2H092JA26 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA39 , 2H092JA43 , 2H092JB27 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092KA09 , 2H092KA12 , 2H092KA13 , 2H092KA18 , 2H092KA19 , 2H092KA20 , 2H092KB05 , 2H092KB24 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA15 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092MA37 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN80 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-151971 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-206934
集積無機/有機相補型薄膜トランジスタ回路およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-555282 出願人：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ

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