特許
J-GLOBAL ID：200903043669342710
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181573
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331116
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体を用いた発光素子の出力をさらに高める。【構成】 量子構造の窒化物半導体よりなる活性層を発光層として備える窒化物半導体発光素子において、活性層表面に凹凸を設けることにより、活性層とクラッド層との界面で縦横両方向にキャリアが閉じ込められ量子箱効果が発生し、それにより発光素子の発光スペクトル中に、複数の発光ピークが出現して、結果として発光出力が向上する。
請求項（抜粋）：
少なくともインジウムを含む量子井戸構造の窒化物半導体よりなる井戸層を有する活性層を備える窒化物半導体発光素子において、その発光素子の発光スペクトル中には、等間隔でない複数の発光ピークを有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
