特許
J-GLOBAL ID：200903043671494110
半導体集積回路におけるアンテナ効果によるチャージングダメージの検証方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157611
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354642
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路の製造前においてチャージングダメージが原因で酸化膜破壊が起きる箇所を予めチェックする。【解決手段】 チャージングダメージが生ずる各製造工程毎に、該当工程及びそれ以前の工程の接続情報に基づきノードを分割する。分割されたノードが拡散層への接続を保有する場合は、その部分の比較工程を除外する。分割されたノード毎に該当工程及びそれ以前の工程により生成される部分の面積と、接続されているゲートの面積をそれぞれ積算し、その積算された生成される部分の面積とゲートの面積の比率を計算する。そして、計算結果と予め用意されたチェック値とを比較し、ゲート酸化膜破壊が起きる原因となる図形があれば、エラーとして出力する。
請求項（抜粋）：
チャージングダメージが生ずる各製造工程毎に、該当工程及びそれ以前の工程の接続情報に基づきノードを分割する工程と、分割された前記ノード毎に該当工程及びそれ以前の工程により生成される部分の面積を積算する工程と、分割された前記ノード毎に接続されているゲートの面積を積算する工程と、積算された同一該当工程及びそれ以前の工程により生成される部分の面積と前記ゲートの面積の比率を計算し与えられたチェック値との比較を行なう工程と、分割された前記ノードが拡散層への接続を保有する場合に前記比較工程を除外とする工程とを具備したことを特徴とする半導体集積回路におけるアンテナ効果によるチャージングダメージの検証方法。
引用特許：
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