特許
J-GLOBAL ID：200903043680384564

誘電体磁器およびその製法

発明者：
福田 大輔

福田 大輔 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148689
公開番号（公開出願番号）：特開2000-335966
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
要約：
【要約】【課題】1200°C以下の低温で焼成ができ、厚みが10μm以下と薄い場合においても、CR積が1500F・Ω以上と大きい誘電体磁器およびその製法を提供する。【解決手段】金属元素として少なくともBa、Ti、Mn、Y、Mg、SiおよびCaを含有する誘電体磁器であって、少なくともBaおよびTiを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、少なくともY、Mg、SiおよびCaを含有する粒界相とからなるとともに、Mnが実質的に主結晶粒子内のみに存在するものである。
請求項（抜粋）：
金属元素として少なくともBa、Ti、Mn、YおよびMgを含有する誘電体磁器であって、少なくともBaおよびTiを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、少なくともYおよびMgを含有する粒界相とからなるとともに、前記Mnが実質的に前記主結晶粒子内のみに存在することを特徴とする誘電体磁器。
IPC (3件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358
FI (3件)：
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358
Fターム (38件)：
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA05 ,  4G031GA05 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303DA06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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