特許
J-GLOBAL ID：200903043697598665
強誘電体膜を有する不揮発性半導体記憶装置及び強誘電体膜を有するキャパシタ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133030
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321237
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】エッチング等のプロセス工程を経た後でも、強誘電体膜の特性劣化を抑制し、かつ、信頼性の高い強誘電体を利用した不揮発性半導体装置を提供する事である。【解決手段】本発明は、MFMIS、MFIS構造の電界効果型強誘電体素子、もしくはMFM構造のキャパシタを有した強誘電体素子の強誘電体膜に、Ho、Co、Cr、Dy、W、Y、V、Sm、Gd元素の少なくとも一つを含有した鉛を含むペロブスカイト構造化合物である事を特徴とする。また、上記強誘電体膜は、Ho、Co、Cr、Dy、W、Y、V、Sm、Gd元素の少なくとも一つを含有したBiを含むビスマス層状化合物でも良い。
請求項（抜粋）：
電極間の誘電体に強誘電体膜を用いた情報記憶用キャパシタと電荷転送用MOSトランジスタとが直列に接続されてなる複数のメモリセルが行列状に配置されているメモリセルアレイと、それぞれ同一行の前記メモリセルのMOSトランジスタのゲート電極に共通に接続された複数本のワード線と、それぞれ同一行の前記メモリセルのキャパシタのプレート電極に共通に接続された複数本のプレート線と、それぞれ同一列の前記メモリセルのMOSトランジスタのソース/ドレイン領域のいずれかに共通に接続された複数本のビット線とを備え、前記強誘電体膜が鉛を含むペロブスカイト構造化合物であり、かつ、Ho、Co、Cr、Dy、W、Y、V、Sm、Gd元素の少なくとも一つを含有する事を特徴とする不揮発性強誘電体記憶装置。
IPC (12件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C01G 29/00
, C01G 35/00
, C01G 37/00
, C30B 29/22
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, C01G 29/00
, C01G 35/00 C
, C01G 37/00
, C30B 29/22 D
, H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 371
