半導体基板、半導体素子および半導体層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096322
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299249
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】十分に転位密度が低減された半導体層を含む良好な素子特性を有する半導体素子を提供する。【解決手段】アンドープGaN層2上に所定の周期(密度)で形成された複数の第1マスク層3と、アンドープGaN層2上および第1マスク層3上に形成された第1GaN層4と、第1GaN層4上に、第1マスク層3の周期(密度)よりも小さい周期(高い密度)で形成された複数の第2マスク層5と、第1GaN層4上および第2マスク層5上に形成された第2GaN層6と、第2GaN層6上に形成され、素子領域を有する半導体素子層とを備えている。

請求項（抜粋）：

下地上に所定の密度で形成された複数の第1マスク層と、前記下地上および前記第1マスク層上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層上に、前記第1マスク層の密度よりも高い密度で形成された複数の第2マスク層と、前記第1半導体層上および第2マスク層上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に形成され、素子領域を有する半導体素子層とを備えた、半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (31件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA01 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DB06 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-212926 出願人：日亜化学工業株式会社

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