特許
J-GLOBAL ID:200903043758053756

樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 佐野 静夫 ,  林田 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-277269
公開番号(公開出願番号):特開2009-105297
出願日: 2007年10月25日
公開日(公表日): 2009年05月14日
要約:
【課題】放熱特性をより向上させることにより、信頼性の低下を抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。【解決手段】このBGA型半導体装置(樹脂封止型半導体装置)は、半導体チップ10が所定領域上に搭載された配線基板1と、この配線基板1の半導体チップ10が搭載された領域とは異なる領域に形成され、互いに所定の間隔を隔てて配列された複数の金属バンプ30と、少なくとも半導体チップ10を覆う封止樹脂層20とを備えている。そして、複数の金属バンプ30の各々は、上記した封止樹脂層20によって覆われている一方、その一部が封止樹脂層20の上面から露出するように構成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体チップが所定領域上に搭載された基板と、 前記基板の前記半導体チップが搭載された領域とは異なる領域に形成され、互いに所定の間隔を隔てて配列された複数の放熱部材と、 前記半導体チップと前記放熱部材の少なくとも一部とを覆う封止樹脂層とを備えることを特徴とする、樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/34 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L23/34 A ,  H01L23/12 501W
Fターム (3件):
5F136BB09 ,  5F136BB18 ,  5F136DA01
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
  • 回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-035377   出願人:富士ゼロックス株式会社

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