特許
J-GLOBAL ID：200903043770778278

洗浄処理方法および洗浄処理装置

発明者：
折居 武彦

折居 武彦 について

, 
中森 光則

中森 光則 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221274
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110612
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 薬剤を効率的に基板表面に供給することでその消費量を抑制することができる洗浄処理方法および装置、ならびに基板の表面に発生する洗浄痕(ウォーターマーク)を低減することが可能な洗浄処理方法を提供すること。【解決手段】 外側チャンバ26と内側チャンバ27からなる処理チャンバ内に保持された半導体ウエハWの洗浄処理における薬剤を用いた乾燥処理を、半導体ウエハWを停止または低速回転させた状態において、ミスト状または蒸気状の薬剤を半導体ウエハWに向けて供給する薬剤供給工程と、薬剤の供給を停止して半導体ウエハWを回転させる際に、半導体ウエハWから振り切られる薬剤の処理チャンバからの跳ね返りが生じないように、半導体ウエハWを中速回転させる第1乾燥処理工程と、半導体ウエハWを高速回転させて半導体ウエハWに付着した薬剤を振り切る第2乾燥処理工程とにより行う。
請求項（抜粋）：
処理容器内に保持された基板の洗浄処理方法であって、前記基板を停止または低速回転させた状態において、ミスト状または蒸気状の薬剤を前記基板に供給する第1工程と、前記薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る第2工程と、を有することを特徴とする洗浄処理方法。
IPC (8件)：
H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 651 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/08
FI (10件)：
H01L 21/304 645 B ,  H01L 21/304 643 C ,  H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/304 648 H ,  H01L 21/304 648 K ,  H01L 21/304 648 L ,  H01L 21/304 651 C ,  H01L 21/304 651 H ,  B08B 3/02 B ,  B08B 3/08 Z
Fターム (16件)：
3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB08 ,  3B201AB27 ,  3B201AB34 ,  3B201AB44 ,  3B201BB13 ,  3B201BB22 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201CB15 ,  3B201CC01 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13 ,  3B201CD11 ,  3B201CD24
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 洗浄方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148606   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
審査官引用 (1件)
  • 洗浄方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148606   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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